Toshiba Lancar MOSFET Kuasa Saluran-N 80V Menggunakan Proses Generasi Terbaharu untuk Meningkatkan Kecekapan di Pusat Data AI

^{Toshiba: MOSFET kuasa saluran-N 80V “TPM1R408RH”, yang dihasilkan menggunakan U-MOS11-H, proses generasi terbaharu Toshiba.}

KAWASAKI, Jepun, 1 Julai (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah melancarkan “ TPM1R408RH,” MOSFET kuasa saluran-N 80V yang dihasilkan menggunakan U-MOS11-H, proses generasi terbaharu Toshiba^[1]. MOSFET itu menyasarkan aplikasi seperti bekalan kuasa mod pensuisan untuk peralatan perindustrian yang digunakan di pusat data AI dan stesen pangkalan komunikasi. Penghantaran bermula hari ini.

Perkembangan berterusan dalam pemprosesan AI telah meningkatkan permintaan kuasa di pusat data, manakala kemajuan dalam infrastruktur komunikasi turut memperhebat keperluan terhadap kecekapan lebih tinggi, saiz lebih kecil (ketumpatan kuasa lebih tinggi) dan gangguan elektromagnet (EMI) lebih rendah dalam bekalan kuasa mod pensuisan. Memandangkan kehilangan kuasa secara langsung mempengaruhi penggunaan kuasa sistem, penjanaan haba dan beban penyejukan, penggunaan semikonduktor kuasa dengan ciri yang menyokong pengurangan seimbang dalam kehilangan pengaliran dan pensuisan adalah penting, selain menyumbang kepada pengoptimuman keseluruhan sistem, termasuk penindasan EMI yang dipertingkatkan, reka bentuk terma dan kemudahan pemasangan.

TPM1R408RH menampilkan struktur peranti yang dioptimumkan dan merealisasikan rintangan ON antara drain dan source sebanyak 1.4mΩ (maks)^[2], kira-kira 26% lebih rendah berbanding “TPM1R908QM”, produk 80V Toshiba yang dihasilkan menggunakan proses U-MOS X-H generasi sebelumnya. Ia juga menambah baik tukar ganti antara rintangan ON antara drain dan source (R_DS(ON) ) dengan jumlah cas gate (Q_g ), mencapai pengurangan kira-kira 45% dalam angka merit, R_DS(ON) × Q_g berbanding TPM1R908QM. Ciri-ciri ini mewakili tahap kehilangan kuasa rendah yang menerajui industri^[3].

TPM1R408RH turut menekan voltan lonjakan yang terhasil antara drain dan source semasa pensuisan, membantu mengurangkan EMI dalam bekalan kuasa mod pensuisan. Penindasan EMI sering memerlukan kerja semula pada peringkat akhir reka bentuk, namun penekanan lonjakan yang berasal daripada peranti membantu mengurangkan kerja semula serta memudahkan litar penapis dan snubber.

Produk baharu itu menggunakan pakej SOP Advance(E), yang memberikan rintangan pakej kira-kira 65% lebih rendah dan rintangan terma kira-kira 15% lebih rendah berbanding pakej SOP Advance(N) semasa Toshiba. Dengan menekan penjanaan haba dan meningkatkan pelesapan haba, pakej itu menyokong reka bentuk bekalan kuasa yang lebih tinggi outputnya dan lebih kompak.

Toshiba turut menawarkan alat yang menyokong reka bentuk litar untuk bekalan kuasa pensuisan. Di samping model G0 SPICE, yang mengesahkan fungsi litar dalam masa yang singkat, model G2 SPICE, berketepatan tinggi, yang menghasilkan semula ciri transien dengan tepat, kini tersedia. Simulator litar dalam talian di laman web Toshiba membolehkan pengguna mengesahkan operasi litar dengan mudah dalam pelayar web, tanpa perlu menyediakan persekitaran simulasi atau memuat turun model peranti. (Simulator litar dalam talian: di sini)

Toshiba akan terus memperluas barisan MOSFET kuasa yang meningkatkan kecekapan bekalan kuasa, sekali gus membantu mengurangkan penggunaan kuasa dalam peralatan perindustrian.

Nota:
[1] Setakat Jun 2026, berdasarkan proses MOSFET kuasa voltan rendah Toshiba.
[2] V_GS =10V, I_D =50A, T_a =25°C
[3] Tinjauan Toshiba, setakat Jun 2026.

Aplikasi

Peralatan Perindustrian

Bekalan kuasa mod pensuisan untuk pusat data AI dan stesen pangkalan komunikasi

Ciri-ciri

Rintangan ON antara drain dan source yang rendah: R_DS(ON) =1.4mΩ (maks) (V_GS =10V, I_D =50A, T_a =25°C)
Rintangan ON antara drain dan source × jumlah cas gate yang rendah: R_DS(ON) ×Q_g ＝1.4mΩ × 80nC = 112mΩ・nC (kira-kira 45% lebih rendah berbanding 1.9mΩ × 108nC = 205.2mΩ・nC bagi TPM1R908QM)
Penggunaan pakej SOP Advance(E) dengan rintangan pakej yang rendah dan rintangan terma yang rendah.

Spesifikasi Utama

(Kecuali dinyatakan sebaliknya, T_a =25°C)
Nombor komponen				TPM1R408RH
Penarafan maksimum mutlak	Voltan drain-source V_DSS (V)			80
	Arus drain (DC) I_D (A)	T_c =25°C		288
	Suhu saluran T_ch (°C)			175
Ciri-ciri elektrik	Rintangan ON drain-source R_DS(ON) (mΩ)	V_GS =10V	Maks.	1.4
		V_GS =8V	Maks.	1.7
	Jumlah cas gate Q_g (nC)	V_GS =10V	Tip.	80
	Cas suis gate Q_sw (nC)		Tip.	23
	Cas output Q_oss (nC)		Tip.	161
	Masa pemulihan songsang t_rr (ns)		Tip.	74
	Cas pemulihan songsang Q_rr (nC)		Tip.	115
Pakej	Nama			SOP Advance(E)
	Saiz (mm)		Tip.	4.9×6.1×1.0
Semakan Sampel & Ketersediaan				Beli Dalam Talian

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut tentang produk baharu ini.
TPM1R408RH

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut tentang MOSFET Toshiba.
MOSFET

Untuk menyemak ketersediaan produk baharu di pengedar dalam talian, sila layari:
TPM1R408RH
Beli Dalam Talian

* Nama syarikat, nama produk dan nama perkhidmatan mungkin merupakan tanda dagangan syarikat masing-masing.
* Maklumat dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, kandungan perkhidmatan dan maklumat hubungan, adalah terkini pada tarikh pengumuman tetapi tertakluk kepada perubahan tanpa notis terlebih dahulu.

Maklumat tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, pembekal terkemuka bagi penyelesaian semikonduktor dan storan yang canggih, memanfaatkan lebih setengah abad pengalaman dan inovasi untuk menawarkan semikonduktor diskret, sistem LSI, dan produk HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan rakan perniagaan.

Sebanyak 17,400 pekerjanya di seluruh dunia berkongsi tekad untuk memaksimumkan nilai produk serta menggalakkan kerjasama erat dengan pelanggan dalam penciptaan bersama nilai dan pasaran baharu. Syarikat ini menantikan usaha untuk membina dan menyumbang kepada masa depan yang lebih baik untuk masyarakat di seluruh dunia.

Ketahui lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.

Galeri Multimedia/Foto Sedia Ada:
https://www.businesswire.com/news/home/20260629095995/en

Hubungi

Pertanyaan Pelanggan:
Jabatan Jualan dan Pemasaran Peranti Kuasa dan Peranti Isyarat Kecil
Tel: +81-44-548-2216
Hubungi Kami

Pertanyaan Media:
C. Nagasawa
Jabatan Komunikasi dan Risikan Pasaran
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

--BERNAMA